继苹果3D结构光技术缘由

经过 月 1的阵阵喧嚣，大股东金沙江创投(Go Scale)牵头财团以晶能光电作为产业承接平台，宣布成功收购荷兰皇家飞利浦公司旗下Lumileds80.1%的股分，飞利浦公司将保存剩余的19.9%的股份。飞利浦Lumileds目前包括与汽车照明事业部。此次交易价值约 亿美元，预计将于2015年第三季度获得监管部门批准等交易条件后完成。

面对这1行业重磅收购，笔者既兴奋又有一丝疑问。

技术和资本双驱动下能否弯道超车？

在此我们慨叹晶能光电大股东的撼动产业界的大举措，这也让我们佩服中国企业终于成功的迈出了国际化第一步。同时，中国企业仅此一步吗？

据了解，此次交易以晶能光电作为产业承接平台，晶能光电本身一直都是在自主硅基、氮化镓材料的技术创新，并且硅基氮化镓材料也代表着整个产业的水平。同时，晶能光电也创新的引入资本，实现技术和资本是两轨驱动，这对任何一个企业要获得长足发展来说，技术和资本一样重要。

同时，随着与控制、传感等硅技术融会发展，来十年LED将进入以智能化、个性化为特点的按需照明时期，世界各国正在抓紧部署，推动技术研发，抢占暨照明替代之后新一轮产业主导权。特别是开始在农业、医疗、交通、航空、航天等超越照明领域的应用，以及可见光通讯技术的不断成熟，LED将成为未来生态农业、医疗健康、物联网互联互通的最便捷的通路之一，并发挥巨大的支持作用。

美国DOE报告显示目前到达的最高研发水平是Cree公司的SiC衬底上GaN功率型LED的实验室光效到达275lm/W。另外，Si衬底上GaN外延技术已经逐渐成熟，目前晶能光电、东芝、3星等多家国内外公司均推出了大尺寸Si衬底上产业化大功率GaN产品，光效到达1 0-140lm/W，其高性价比得到了产业界的极大关注。

与此同时，国家正在准备加大对第三代半导体材料的研发和产业化力度，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料的发展也得到各发达国家的重点关注。2014年初，美国总统奥巴马宣布成立 下一代电力电子技术国家制造业创新中心 ，在未来5年内，该中心通过美国DOE(能源部)投资，带动企业、研究机构和州政府共同投入，通过加强第三代半导体技术的研发和产业化，使美国占据下一代功率电子产业这个新兴市场。2014年7月，美国纽约州宣布将联合100多家私营企业组建一个SiC产业同盟，由通用电气公司(GE)牵头主导，在未来5年内，由纽约州政府拨款1. 5亿美元，吸引私人投资和知识产权作价用于支持人材和公共研发平台建设，协同开发新一代SiC材料和工艺。

日本NEDO也正在组织由诺贝尔物理学奖获得者名古屋大学天野浩教授牵头的功率电子器件国家重点科技项目，通过联合日本相干科研机构和企业，推动日本的SiC和GaN技术研发和运用的快速产业化。

欧洲启动了产学研项目 面向电力电子应用的大尺寸碳化硅衬底及异质外延氮化镓材料 ，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国、法国、瑞典、希腊和波兰等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关SiC和GaN的关键技术。项目通过研发高成本效益且高可靠性的SiC和GaN功率电子技术，使欧洲跻身于世界高能效功率芯片研究并商业化运用的最前沿。

在全球各国都在争抢以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料之时，晶能光电大股东这时出手收购飞利浦Lumileds及其汽车照明业务，无疑是对中国半导体产业发展一大促进。中国资本已经通过并购方式达成收购，再加上其已具有自己的硅基、氮化镓技术，再结合Lumileds的已有技术和研发实力。收购之初，对中国半导体照明产业范围至少是一个巨大的提升，也是一件 弯道超车 的战略收购。

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